名称：原子层沉积系统
品牌：PICOSUN
产地：芬兰
型号：PICOSUN™ ALD R-200系列
芬兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列：PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性，包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。在最基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。
兰Picosun原子层沉积系统 R-200系列 技术参数
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衬底尺寸和类型
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50 – 200 mm /单片 最大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺） 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳） 粉末与颗粒（配备扩散增强器） 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品 |
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工艺温度 |
50 – 500 °C, 可选更高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C） |
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基片传送选件 |
气动升降（手动装载） 预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ） |
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前驱体 |
液态、固态、气态、臭氧源 4根独立源管线，最多加载6个前驱体源 对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气导入前驱体瓶内引出 |
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重量 |
350kg |
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尺寸（ W x H x D)） |
取决于选件 最小146 cm x 146 cm x 84 cm 最大189 cm x 206 cm x 111 cm |
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选件 |
PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集 成（用于惰性气体下装载）。 |
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验收标准 |
标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
| 材料 | 非均匀性(1σ) |
| AI2O3 (batch) | 0.13 % |
| SiO2 (batch) | 0.77 % |
| TiO2 | 0.28 % |
| HfO2 | 0.47 % |
| ZnO | 0.94 % |
| Ta2O5 | 1.0 % |
| TiN | 1.10 % |
| CeO2 | 1.52 % |
| Pt | 3.41 % |